За создание "памяти будущего" наградили аспирантку ИрГТУ на выставке "HTTM-2014" в Москве

За создание универсальной "памяти будущего" медаль "За успехи в научно-техническом творчестве" получила аспирантка физико-технического института Иркутского государственного технического университета Алина Журавлева на Всероссийской выставке "НТТМ-2014" в Москве. Молодой ученый вошла в число лидеров в номинации "Лучший научно-исследовательский проект" с проектом "Наногетероструктуры для устройств памяти нового поколения – MRAM устройств". MRAM-память на основе гетероструктур может применяться при производстве компьютеров, офисной техники, мобильных и других устройств. Об этом сообщает ИА UlanMedia со ссылкой на РИА IrkutskMedia.

За создание "памяти будущего" наградили аспирантку ИрГТУ на выставке "HTTM-2014" в Москве, Фото с места события из других источников. Фото: Автор фото: Пресс-служба ИрГТУ

В рамках работы выставки Алина Журавлева участвовала в научно-практической конференции "НТТМ – путь к обществу, основанному на знаниях", круглых столах о перспективах молодежного предпринимательства, в ряде мастер-классов, а также прослушала лекции от ведущих специалистов – "истории успеха.

"В течение нескольких дней мне необходимо было представлять свою разработку разной аудитории. Я подготовила экспозицию, в которую вошел информационный стенд, макет и опытные образцы. Эксперты проявили большой интерес к моему проекту, задавали много вопросов. Интересовались о самом понятии спинтроники, также спрашивали о перспективах развития отрасли электронных устройств, в том числе MRAM устройств. Я старалась интересно рассказать о своей работе, которой занимаюсь уже более 1,5 лет. Спинтроникой я начала заниматься во время стажировки в Гонконгском университете науки и технологии. С тех пор проект значительно видоизменился", -рассказала аспирантка ИрГТУ.

За создание "памяти будущего" наградили аспирантку ИрГТУ на выставке "HTTM-2014" в Москве, Тематическая иллюстрация. Фото: Автор фото: Пресс-служба ИрГТУ

Как поясняет Алина Журавлева, проект направлен на создание высококачественных гетероструктур нанометрового размера для быстродействующих устройств памяти нового поколения с низким энергопотреблением и тепловыделением. Автор проекта убеждена, что MRAM является революционной технологией, обладающей всеми необходимыми свойствами, чтобы стать действительно универсальной. По словам Алины Журавлевой, данные структуры нанометрового размера станут элементами "памяти будущего" - которая будет сочетать в себе преимущества всех распространенных технологий. По информации молодого ученого такая память может применяться при производстве персональных компьютеров, офисной техники, мобильных устройств, счетчиков и расходомеров, а также при создании "черных ящиков" в авиационной технике, охранно-пожарных систем и различного медицинского оборудования.

Как отметила Алина Журавлева, по данным Yole Développement, рынок MRAM за следующие пять лет возрастет в 10 раз и в 2018 году достигнет  2 млрд долларов. По всем прогнозам, рынок этих изделий в ближайшие 12–15 лет будет оставаться наиболее привлекательным для инвестиций.

Напомним, победители выставки научно-технического творчества молодежи "НТТМ-2014" определены в Иркутске в апреле. Победителям и призерам были вручены дипломы и ценные призы, а участникам выставки – сертификаты и благодарственные письма министерства по физической культуре, спорту и молодежной политике региона. Проекты, занявшие первое место в каждой номинации, будут определены "делегатами" на Всероссийскую выставку "НТТМ-2014".